“量子反常霍尔效应”已经被预测到可在磁性掺杂的拓扑绝缘体材料中实现，但是在实验中实现一直具有很大的挑战性。最近，中科院物理所何珂、吕力、马旭村、王立莉、方忠、戴希等组成的团队和清华大学物理系薛其坤、张首晟、王亚愚、陈曦、贾金锋等组成的团队合作攻关，报导了利用分子束外延方法生长出高质量的Cr掺杂（Bi，Sb）₂Te₃磁性拓扑绝缘体薄膜，并观测到了“量子反常霍尔效应”（QAH）。在零磁场中，伴随着相当大的纵向电阻下降，门调谐反常霍尔电阻达到预测的量化值的h/e²。在一个强磁场下，纵向电阻消失，而霍尔电阻保持在量化值。实现的QAH效应可能导致低功耗电子产品的发展。清华大学和中科院物理所为共同第一作者单位，该结果发表在Science 340,167(2013)上。