为应对未来信息技术发展的要求，新型的非易失性阻变存储器以其能耗低、结构简单读取速度快等优点而成为目前研究的热点，具有替代目前传统的FLASH存储器的潜力。阻变存储器具有金属/绝缘体/金属的三明治结构，按照器件高低阻转变机理，阻变存储器可分为两类：一种是两端采用惰性电极利用中间转换层局域氧离子迁移，另外一种是采用活性电极氧化金属阳离子迁移形成导电细丝。目前关于阻变存储器详细机理还不是十分清楚，一些基本的问题还没有得到解决，这也严重制约了其进一步应用。目前德国亚琛工业大学的Rainer Waser研究组在Cu/SiO₂/Pt结构器件中提出了一种纳米电池的理论。该研究表明，导电细丝的化学势梯度会导致不平衡的开启和关闭状态，同时会导致器件内部产生电动势，

未完全形成的导电细丝并不稳定，撤掉外部电压以后可以检测到负载电阻仍然有电压存在，因此把阻变器件看做类似纳米电池一样，可输出一定的电动势。该研究成果拓展了纳米尺度导电细丝的研究理论，对于进一步了解阻变存储器的相关机理具有很重要的意义。相关研究发表在：ACS Nano, 2013, 7 (7), pp 6396–6402 与Nature Communications 4, 2013，1771上。