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探索深紫外光电子材料与微纳结构暨器件的奥秘
作者:王玲玲    发布于:2018-05-03 12:57:10    文字:【】【】【


报告人:冯哲川 杰出教授,广西大学


报告时间:201857日(周一)上午 9:00-10:00


报告地点:物理学院三楼会议室


报告人简介:

冯哲川教授,获得学士/硕士(1968/1981,北京大学),博士(1987,匹兹堡大学-美国), 1988-2003工作于Emory大学(),新加坡国立大学,EMCORE公司(),材料工程研究院(新加坡),乔治亚理工学院;2003.8-15.1台湾大学。20152月自台湾大学光电所暨电机系(任教授11年后)退休,即受聘于广西大学 物理科学与工程技术学院,任杰出教授.建立并领导光电子材料与探测技术实验室(依托广西相对论天体物理重点实验室)。冯哲川杰出教授团队目前工作在半导体物理与光电技术领域,着重于研究第三代宽禁带半导体及相关材料与微纳结构暨器件的物理研究以及相关光电子技术,外延生长及光电子学特性、LEDs、基于宽禁带半导体材料的光电转换器件的构造及性能调控,尤其是在深紫外日盲区光电子探测器方面的应用。至今他编辑出版了高效能复合半导体及显微结构,多孔硅,三族氮化物半导体及器件,氧化锌,固态照明/LEDIII族氮化物和奈米工程领域的11-本英文专书,Google Scholar Citations.html 收录其发表过的450多篇学术论文– Citations (all): 4982, h-index: 36, i10-index: 114{2018/2/20}。从事于化合物和宽能隙半导体研究30多年。成果多且杰出,在国际宽能隙半导体研究领域有重要贡献和影响。其许多宽能隙及化合物半导体论文被广泛引用,多篇单篇他引超100多次。冯教授荣膺2013 SPIE Fellow。他受邀担任四川大学、南京工业大学、华南师范大学、华中科技大学、南开大学、天津师范大学的访问客座教授。


脚注信息
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